纳祥科技NX7010,可PIN TO PIN 替代AP20H03DF的双N沟道MOSFET
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作者:communications-1066719
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2025-03-27
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纳祥科技NX7010双N沟道MOSFET以11.5m 超低导通电阻和PDFN3*3小型封装,显著提升电源效率并节省PCB空间,可完美替代AP20H03DF,广泛应用于电动工具、智能家电及LED驱动等领域。
纳祥科技NX7010是一款30V 20A双N沟道MOSFET,它的工作原理是基于栅源电压的控制。
当栅源电压大于导通电压时,两个MOS管都处于导通状态,电流从N1的源极流向N2的漏极,再从N2的源极回到N1的漏极;当栅极电压小于截止电压时,两个MOS管都处于截止状态,电路中的电流几乎为零。
在性能上,NX7010可以PIN TO PIN替代AP20H03DF 。
(一)NX7010主要特性
● RDS (ON) =11.5mΩ(Typ.)@VGS=10V
● RDS (ON) =16.6mΩ(Typ.)@VGS=4.5V
(二)NX7010芯片亮点
NX7010采用小型化封装,结合其优良性能,成为许多高性能电子设备的理想选择。
NX7010采用PDFN3*3封装,具备良好的接地性能,底部金属片设计利于散热,整体尺寸小巧,重量轻,有助于节省PCB设计空间。
在栅极电压为 10V 时,NX7010的漏极与源极之间呈现的典型导通电阻为 11.5 mΩ ,能减少功率损耗和发热,提高电路效率。
(三)NX7010应用领域
因其低功耗、高可靠性和快速开关速度的特点,NX7010被广泛应用于以下这些应用中——
● 智能小家电、电源产品、开关电源、LED调光和驱动产品、音频放大器、继电器驱动